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台积电将在7nm制程拉开与三星、英特尔差距

信息来源 : 网络 | 发布时间 : 2016-05-06 14:26 | 浏览次数 : 182

台积电法说会本周四(14日)登场,揭开半导体族群法说会序幕。半导体设备厂透露,台积电在16纳米拉开与三星差距,10纳米超车英特尔之后,预料本次法说会,将宣告加速7纳米制程脚步,向全球展现其半导体先进制程领先群伦的气势。


  相较英特尔宣布2020年才产出7纳米制程产品,凸显台积电将在于今年下半年以10纳米制程试产联发科等相关产品之后,未来在7纳米一举拉开与两只700磅大猩猩(指三星与英特尔)差距,称霸全球半导体产业。


  台积电近期已指示相关设备厂,加速7纳米生产线建置。从台积电罕见在3月初于美西科技术论坛中,对外宣告与安谋延续在7纳米合作,透露台积电7纳米制程已获得包括高通、苹果等大客户支持,甚至几乎独揽这两大客户订单,让台积电信心大增,加速7纳米布建。


  由于7纳米制程有重大斩获,据了解,台积电本次法说会,将由两位共同执行长暨总经理刘德音、魏哲家和财务长何丽梅共同时主持,并揭露7纳米重要布局及技术推进蓝图。


  台积电将10纳米与7纳米视为同一制程计画,决定加速7纳米脚步,应是在关键曝光显影及多核运算技术技术获利重大突破,吸引注重晶片效能大厂全心全意与台积电合作。这项突破,将奠定台积电未来在晶圆代工版图持续领先地位,再次独拿多家晶片大厂订单。


  刘德音稍早表示,台积电10纳米和7纳米制程照既定计画进行,除10纳米试产良率持续提升,台积电今年首季也完成首颗7纳米制程生产静态存取记忆体(SRAM)产出,预定2018年第1季完成产品设计定案,主要生产据点将座落于中科。


  台积电强调,7纳米布建速度比10纳米还快,产品除应用在行动通讯领域,更将开发应用于资料中心的高速运算处理器,奠定在晶圆代工领先地位。



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