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东微半导体充电桩芯片成功量产,打破垄断格局

信息来源 : 网络 | 发布时间 : 2016-04-21 15:14 | 浏览次数 : 82

东微半导体经过两年的研发,原创了全套专利技术,目前已实现充电桩用高压高速MOSFET系列产品量产,在国内充电桩企业批量应用。


一块手机SIM卡大小的芯片,却能承载超过700伏的电压,导通电阻仅有30欧,实现高效低耗的电能转换。这就是新能源汽车充电桩的“心脏”MOSFET(金属氧化物半导体型场效应管)。近日,记者从苏州东微半导体公司了解到,新能源汽车直流大功率充电桩用核心芯片已成功量产,打破国外厂商垄断。


直流充电桩一般由通信模块、开关电源模块及控制模块等构成。其中,MOSFET是开关电源模块中最核心的部分,是实现电能高效率转换,确保充电桩稳定不过热的关键器件。MOSFET的成本占整个开关电源模块成本的20%左右。在一个开关电源模块中,需要用到几个甚至近百个MOSFET。过去,这一领域被国外厂商垄断,国内厂家大量采购进口品牌的MOSFET,不仅价格高昂,还经常缺货。


东微半导体经过两年的研发,原创了全套专利技术,目前已实现充电桩用高压高速MOSFET系列产品量产,在国内充电桩企业批量应用。同时,该产品还出口到韩国、日本和德国市场。同时,还广泛应用在手机充电器、LED照明,显示器、工业照明等电源转换领域。


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