近几年，半导体技术进步之神速，已经打破了摩尔定律每18个月技术升级一倍的定律。以台积电、联电、三星、格罗方德和英特尔为首的全球领先晶圆代工厂商，已经将工艺制程开进16nm、14nmFinFET工艺级别，甚至正朝着更为先进的10nm、5nm的方向迈进。相形之下，大陆晶圆代工虽然未能在领先的FinFET上与国际巨头抗衡，但在90nm-45nm-28nm为主的CIS、BSI等特色工艺上剑走偏锋，迈向了差异化之路。

  随着全球半导体产业重心朝着亚太转移，中国作为全球电子产品生产和消费基地的地位日渐牢固。国家大基金的成立，大型并购事件的完成，也从政策层面反映出国家对半导体产业的重视。

  作为半导体产业链上重要的一环，大陆晶圆代工也取得了不小的进展，特别是在领先的8寸、12寸晶圆上面，以中芯国际、华力微电子、武汉新芯等为代表的大陆晶圆代工厂已经步入了国际竞争行列，本次《华强电子》杂志就采访了这些企业。

  中芯国际全球销售及市场资深副总裁许天燊介绍称，目前中芯12寸晶圆的订单业务主要集中在逻辑和混合信号/射频相关产品，包括应用程序/基带/系统级芯片/专用集成电路、射频/无线网络技术/相关组合以及调谐器和解调器等，主要应用在移动计算(如智能手机、平板电脑)和数字消费产品(如数字电视、机顶盒等)上。

  不同于中芯国际逻辑和混合信号/射频类产品布局，武汉新芯集成电路制造有限公司(以下简称“武汉新芯”)以生产存储器及特种工艺产品为主，目前已布局存储器、三维集成和55nm低功耗逻辑平台三个主要技术平台。其中存储器是武汉新芯的老本行，其自成立以来一直专注于NOR Flash(代码型闪存)的研制，是NOR Flash的领导厂商。目前，武汉新芯能够生产45nm-90nm NOR Flash，月产能超过1万片，产品覆盖1Mb至8Gb容量，已成功打入汽车市场。其中，45nm是全球目前能量产的最高级别工艺，武汉新芯是全球首家量产45nm NOR Flash的制造商。

  经过长时间的努力，武汉新芯获得国家集成电路产业投资基金等几家公司240亿美金的投资，并于今年3月28日启动了存储器基地项目，一期厂房于2016年全面动工，二三期厂房将于2020年前建设完毕。基地将尽快量产3D NAND Flash，并随后进入DRAM领域，预计2020年月产能将达到30万片。

  在记者看来，投巨资建设全球领先的3D NAND Flash工艺，是为了填补国内主流存储器领域的空白，满足国内外大数据应用和物联网市场对存储器产品的巨大需求。因为近几年，物联网产业迅速崛起，在巨大的市场机遇面前，国内半导体产业自然不能落后。

  “日本抓住了DRAM发展机遇，韩国抓住了DRAM和NAND发展机遇，两国都成为了存储器行业的领头羊。如今3D NAND技术兴起，‘十三五’规划又将半导体作为发展重点，我们可谓正好走到了一个发展的‘风口’，势必把握这一机会。”武汉新芯商务长陈少民表示，包括3D NAND Flash，武汉新芯在技术方面已有了完整规划，主要布局存储器技术、三维集成技术和55低功耗逻辑技术，瞄准未来的物联网、大数据和云计算市场。

  “在各类存储器中，NAND Flash是一个亮点，其广泛应用于PC、手机、服务器等各类电子产品，而3D NAND Flash每年成长更是达到100%，这是一个巨大的市场机会。”陈少民预计，2020年物联网会给技术和服务创造3280亿美元的市场，其中大约500亿美元的市场与半导体有关，而物联网的各项应用都与云存储密不可分。

  物联网大潮的到来，给晶圆代工企业带来了新的历史机遇，向来技术和工艺相对落后的大陆晶圆代工，已经在这个机遇面前萌发出勃勃生机。不管是代工逻辑和混合信号/射频芯片，还是NOR Flash存储芯片，抑或是COMS图像传感芯片，都将在物联网这一机遇面前焕发新的生机。