紫光旗下同方国芯提出私募 800 亿元人民币的增资案，用于 Flash 产业。本篇报告分析中国和国际在 NAND 的现况和计划，讨论中国在 NAND 的发展机会。

拓墣产业研究所（TRI）在 2015 年报告中提到，2015 年 11 月 6 日中国同方国芯电子股份有限公司资产重整后，将成为紫光集团下的子公司。此外，同方国芯也提出私募 800 亿元人民币增资案，主要用于建造 Flash 工厂（75%）、收购力成 25%（4.7%），以及收购产业链上下游厂商（20.3%）。

若此 800 亿元人民币增资案通过政府审核同意执行，将是中国上交所成立至今最大的资金募集案。另一方面，若以 2014 年中国推动的集成电路产业基金规模来看，大基金至 2015 年止，筹资达 1,389 亿元人民币，同方本次增资规模已接近大基金规模 6 成，可看出推动 Flash 产业是高度资本集中，而本篇报告将检视中国 Flash 产业现况（特别着重在 Flash 芯片制造业）的发展和机会。

（一）武汉新芯

1、产能状况

武汉新芯为专业 Foundry 厂商，主要生产 NOR Flash 和 BSI CIS 等技术，12 寸晶圆月产能 2.2 万片；2014 年 NOR Flash 和 BSI 产能规划各为每月 1 万片和 1.2 万片，目前月产能配置仍维持在 2.2 万片，在产品上更多 Low Power Logic 和 NAND Flash。

2、人力与研发支援

武汉新芯在研发团队的创新力和执行力，得益于长期与中科院微电子研究所展开紧密的合作，在 3D NAND 项目，双方采用创新合作模式，即将双方专家在研发专案和人力资源的管理上，透过企业平台合为一体，此模式将中科院微电子所深厚的理论背景，与武汉新芯丰富的制造和研发经验有机会相结合。

3、国际合作与进展

在 2014 年中，武汉新芯成功将 NAND 技术由 55nm 推向 32nm（与Spansion 合作），至 2014 年底，武汉新芯与记忆体领域的世界级研发团队 Spansion（已并入 Cypress）组建联合研发团队，开始 3D NAND 专案的研发工作。2015 年 5 月 11 日武汉新芯宣布其项目研发取得突破性进展，第一个储存测试芯片通过记忆体功能的电学验证，虽然目前并未有相关细节流出，但此合作案目标将是在 2017 年量产出规格为 32 层的堆叠 4x nm 的 3D NAND。

（二）中芯国际

中芯国际为全球第五大,也是中国第一大的晶圆制造厂商,主要是以逻辑 IC 的代工业务为主，虽在 2013 年退出武汉新芯的经营，但在 Flash 业务上仍未缺席。

2014 年以前，中芯国际已开发出一系列从 130nm 到 65nm 特殊 NORFlash 的记忆体生产平台，2014 年 9 月 10 日更是宣布 38nm NAND Flash 记忆体制程已准备就绪。

虽然由中芯国际公开的营收资讯中可看出 38nm NAND Flash 自推出至今，未在营收上崭露头角；然而中芯表示，此技术突破，说明中芯在技术多元化方面取得重要进展，也为后续开发更先进 2x / 1x nm 和 3DNAND Flash 记忆体的研发和量产奠定稳固基础，虽然不像武汉新芯在 NAND Flash 的成果和专注，但近期中国极力想突破记忆体自制缺口，此技术让中芯在未来可能进一步强化在 NAND Flash 记忆体的制造能力。

（三）紫光集团：同方国芯定增

如前所述，同方国芯的大规模定增将投入到 Flash 的研发和制造（表二）。

紫光集团在此规划项目上，不如武汉新芯或中芯国际有较完整的技术累积，所以主要是透过资本和供应链协同方式进行操作（表三）。

目前紫光集团在 Flash 相关竞争中（表三），以中国内部和资金的角度而言，有机会取得领先（此次投入计划约在 180 亿美元，相对中芯国际 2015 年 Capex 约在 15 亿美元和 2016 年预计 21 亿美元而言，相当庞大），是紫光主要优势，但风险在没有技术支援下，如何让技术、量产能力能与资金同时到位，顺利转量产。

相对国际一线大厂 Samsung（2015 年 Capex 约在 135 亿美元和 2016 年预计 115 亿美元），此 2 年 180 亿美元计划，仍落后于 Samsung 2 年投入，如何确保紫光相关投入能达到与一线大厂投入相同的效果，将是投资要成功的最大困难点，在无既有营运支持下，当生产能力无法顺利到位，如何有资金维系工厂月产能 12 万片的营运与研发会是问题，紫光如何突破生产技术的取得和授权，将是整个投资最关键的环节。

（四）外资晶圆制造企业在中国：Samsung 与 Intel

1. Samsung 西安 Flash 工厂产能拉高至每月产出 10 万片

目前以 Samsung 在中国的投资最为领先，Samsung 至 2015 年底投入西安厂的投资总金额已超过 50 亿美元，产能建置来到每月 8 万片，Samsung 于西安布建最先进的 3D NAND Flash 制程，预计 2016 年底将产能进一步拉升至每月 10 万片。

2. Intel 大连厂转为 3D NAND Flash 厂

Intel 则宣布投资 55 亿美元将原先 65nm 生产线的大连厂，改建为月产能 3 万片的 3D NAND Flash 厂，预计 2016 年先投入 15 亿美元，到 2016 年第四季开始投片生产，月产能估计达 1 万片。Samsung 和 Intel 在中国 NAND Flash 的产能建置，预估至 2016 年第四季将达到每月 11 万片，约占全球 NAND Flash 晶圆出货量 7.6%，若将 3D NAND 有单片较高的 bit 产出纳入考虑，加上中国厂商的进展，则 Made in China 的 NAND 位元数在 2017 年全球占比有机会达到 10%。