恩智浦半导体日前宣布推出MRF1K50H射频晶体管，与采用任何技术或在任何频率下的产品相比，都具有最强大的性能。MRF1K50H可在50V电压下提供1.50 kW CW功率，能够减少高功率射频放大器中的晶体管数量，从而减小放大器尺寸并降低物料成本。MRF1K50H可在最高500 MHz频率下工作，适用于广泛的应用，从激光和等离子体源到粒子加速器、工业焊接机、无线电和VHF TV广播发射机、业余无线电线性放大器。

  与所有耐用型LDMOS晶体管相同，MRF1K50H也能在VSWR为65:1的条件下正常工作，但与前一代产品1.25-kW MRFE6VP61K25H相比，它能够吸收的能量增加了50%。这种级别的耐用性提高了产品可靠性，使得晶体管成为用真空管的理想替代品。

  MRF1K50H采用了标准气腔陶瓷封装，其阻抗与当前市场上现有的高功率晶体管兼容：只需进行微小的重新调节，便可移植到现有系统，且无需重新设计印刷电路板(PCB)。

  恩智浦的射频功率工业技术高级总监Pierre Piel表示：“当移植到现有PCB时，这款新型晶体管可为射频设计者提供市场上最高的输出功率和能量吸收。对于需要在最恶劣环境下工作的工业系统，MRF1K50H能够提高其可靠性。”

  使用超模压塑料版本的晶体管MRF1K50N，您甚至能够实现更高的可靠性，与MRF1K50H相比，该版本产品还减少了30%的热阻。恩智浦的塑料封装技术有助于提升射频晶体管的性能，同时简化放大器制造，这要归功于更小的尺寸容差和更好的焊盘连接。

  两个版本的规范都包括80%的效率(在100 MHz的频率下)、23.5 dB的增益、和135V的最小击穿电压。投入生产之后，晶体管将成为恩智浦产品持续供应计划的一部分，确保至少15年的持续供应。MRF1K50H和MRF1K50N目前抽样，预计将于2016年7月投入生产。各种频率的参考电路可供选择。